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罗姆第4代SiC MOSFET应用在车载中 高通智能数字座舱量产车型即上市


罗姆第4代SiC MOSFET在电动汽车电控系统中的应用及其优势

罗姆作为碳化硅领域的深耕者,从2000年就开始了相关的研发工作,并在2009年收购碳化硅衬底供应商SiCrystal后,于2010年率先推出了商用碳化硅MOSFET,目前产品涵盖SiC SBD、SiC MOSFET和全SiC模组,其中SiC SBD、SiC MOSFET可以裸芯片的形式供货。罗姆在2015年发布了第3代也是第一款商用沟槽结构的SiC MOSFET产品,支持18V驱动。2020年,罗姆又推出了第4代SiC MOSFET。目前,不仅可供应裸芯片,还可供应分立封装的产品。分立封装的产品已经完成了面向消费电子设备和工业设备应用的产品线开发,后续将逐步开发适用于车载应用的产品。

对比罗姆的第3代SiC MOSFET产品,第4代SiC MOSFET具有导通电阻更低的特点。根据测试结果显示,在芯片尺寸相同且在不牺牲短路耐受时间的前提下,罗姆采用改进的双沟槽结构,使得MOSFET的导通电阻降低了约40%,传导损耗相应降低。此外,从RDS(on)与VGS的关系图中,我们可以发现第4代SiC MOSFET在栅极电压处于+15V和+18V之间时具有更平坦的梯度,这意味着第4代SiC MOSFET的驱动电压范围可拓展至15V-18V。

此外,罗姆还对第4代SiC MOSFET进行了电容比的优化,大大提高了栅极和漏极之间的电容(CGD)与栅极和源极之间的电容(CGS)之比,从而减少了寄生电容的影响。比如,可以减小在半桥中一个快速开关的SiC MOSFET施加在另一个SiC MOSFET上的高速电压瞬变(dVDS/dt)对栅源电压VGS的影响。这将降低由正VGS尖峰引起的SiC MOSFET意外寄生导通的可能性,以及可能损坏SiC MOSFET的负VGS尖峰出现的可能性。

集度携手百度和高通打造国内首款采用第4代骁龙汽车数字座舱平台的量产车型

百度、集度和高通技术公司宣布,集度首款量产车型将采用由百度和高通技术公司共同支持的智能数字座舱系统。该系统基于高通技术公司的第4代骁龙®汽车数字座舱平台,搭载集度和百度携手开发的下一代智舱系统及软件解决方案。搭载全新数字座舱的集度量产车型预计于2023年上市,将成为国内首款采用第4代骁龙汽车数字座舱平台的量产车型。同时,该产品的概念车预计将于明年4月在北京车展正式亮相。

当前,科技正推动汽车行业驶入前所未有的时代,电气化和网联化趋势快速演进。随着高性能计算和汽车智能化渗透率逐年上升,汽车将成为AloT时代的重要产品,先进数字座舱正逐步成为下一代汽车的标配和重要差异化特性。

第4代骁龙汽车数字座舱平台旨在提供卓越车内用户体验以及安全性、舒适性和可靠性,为汽车行业数字座舱解决方案树立全新标杆。该平台支持符合ISO 26262标准的安全应用,以支持新一代智能网联汽车,助力行业向区域体系架构概念转型。同时,作为高性能计算、计算机视觉、AI和多传感器处理的中枢,第4代骁龙汽车数字座舱平台能够通过灵活的软件配置,满足相应分区或域在计算、性能和功能性安全方面的需求。

综合罗姆和高通官网整合

审核编辑:郭婷

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