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AVP32F335与F28335的应用对比

一:芯片引脚示意图

二: 对比差异

表1.AVP32F335与F28335的应用对比

项点 F28335 AVP32F335
芯片主频(MAX) 100Mhz @ CORE1.8V
150Mhz @ CORE1.9V
150Mhz @ CORE1.65V
芯片功耗 850mW @ 150Mhz 380mW @ 150Mhz
片内LDO N/A 1.9/1.8V-1.65V
测试引脚
pin81、pin82】
芯片内部测试引脚
建议不悬空
建议接1uF电容,压差值为芯片内核供电电压
ADCRESEXT引脚
【LQFP176-PIN57】
建议外接22K电阻
下拉到地
建议外接18K电阻
下拉到地
ADCREFP、ADCREFM外接下拉电容值 2.2uF 10uF
ADC 12bit Mode@12.5Msps 12bit Mode ENOB 8.9bit @6.25Msps
16bit Mode ENOB 14.2bit

三:AD部分的修改

AVP32F335 集成片内LDO,外部输入1.8V(Min1.7V,Max1.9V)经LDO转换成1.65V给内核供电,具体配置如下:

调整数字内核电压【系统默认使能,不需要额外添加下述语句】

EALLOW;

*(Uint16*)0x7016=0x0004;

EDIS;

使能调整模拟电路电压【建议在ADC初始化程序复位语句后面添加下述语句】

//使能并调整模拟内核电压

AdcRegs.ADCTRL1.bit.rsvdl=0x000f;//1111

c. ADC的时钟频率建议设置在12.5Mhz以下(即采样率不超过6.25MSPS),超过此采样时钟可能导致ADC采样线性度变差

d.针对应用中ADC结果寄存器ADCRESULTn【0x7108-0x7117】和结果镜像寄存器ADCRESULTn【0x0B00-0x0B0F】,其结果数据在AVP32F335中位置均为D15-D4,与在F28335使用的D11-D0顺序一一对应

四:源码烧录方法

1.AVP32F335兼容F28335编译工程环境,选择CCS开发工具进行应用程序开发时,可参照F28335的开发方式创建工程、调试程序

2.和F28335不同,AVP32F335采用的独立的FLASH IP,并提供对应的Flash API库文件供Flash的 擦除、烧写、校验等操作,擦写频率建议设置在50MHz参考设置如下图

3. Flash API替换文件的路径参考如下

审核编辑:汤梓红

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