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ROHM开发厚膜分流电阻器 安森美发布应用于服务器和电信的MOSFET


ROHM开发出实现4W业内超高额定功率的厚膜分流电阻器“LTR100L”

全球知名半导体制造商ROHM开发出一款厚膜分流电阻器“LTR100L”,非常适用于工业设备和消费电子设备等的电流检测应用。

ROHM正在致力于扩大分流电阻器的产品阵容,最近,最大额定功率为10W的金属板分流电阻器“GMR320”已于2021年2月开始投入量产。此外,从2018年4月开始,2W额定功率保证的厚膜分流电阻器“LTR50低阻值系列”也已开始量产。此次新产品的推出,使厚膜分流电阻器的产品阵容扩展到了更高的功率范围。

新产品通过改良电阻体材料并适用引脚温度降额,在3264尺寸(3.2mm×6.4mm)的厚膜分流电阻器中,实现了业内超高的4W额定功率。该产品非常适合功率不断提高的工业设备和消费电子设备领域,例如电机控制电路和过电流保护电路的电流检测应用。此外,通过优化元件结构,还在厚膜分流电阻器业界实现了出色的电阻温度系数(TCR)*1。由于不易受温度影响,因此可以进行高精度和高可靠性的电流检测。

安森美发布高性能、低损耗的SUPERFET V MOSFET系列,应用于服务器和电信

领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi,美国纳斯达克股票代号:ON),发布新的600 V SUPERFET®V MOSFET系列。这些高性能器件使电源能满足严苛的能效规定,如80 PLUS Titanium,尤其是在极具挑战性的10%负载条件下。600 V SUPERFET系列下的三个产品组–FAST、Easy Drive和FRFET经过优化,可在各种不同的应用和拓扑结构中提供领先同类的性能。

600 V SUPERFET V系列提供出色的开关特性和较低的门极噪声,从而降低电磁干扰(EMI)–这对服务器和 电信系统是个显著的好处。此外,强固的体二极管和较高的VGSS(DC +/- 30 V)增强了系统可靠性。

安森美先进电源分部高级副总裁兼总经理Asif Jakwani说:“80 Plus Titanium认证以应对气候变化为目标,要求服务器和数据存储硬件在10%负载条件下的电源能效水平达90%,在处理50%负载时的能效达96%。我们的SUPERFET V系列的FAST、Easy Drive和FRFET版本正在满足这些要求,提供强固的方案,确保持续的系统可靠性。”

综合ROHM和安森美官网整合

审核编辑:郭婷

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