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台积电2nm芯片预计将于2025年实现量产

台积电在北美技术论坛上公开了未来先进制程的信息,其3nm芯片将于2022年内量产,而首次采用GAAFET全环绕栅极晶体管技术的2nm制程工艺芯片,预计将于2025年实现量产。

台积电2nm芯片于3nm相比,性能提升速度快 10-15%,功耗降低25%-30%,密度增加了1.1倍以上,2nm工艺采用新纳米片晶体管结构,而不是鳍式场效应晶体管结构,GAAFET技术可减少漏电损耗,降低功耗。

台积电或将建成4座12英寸晶圆厂,用于制造2nm芯片,该新工艺未来将广泛应用于各种移动SoC、高性能CPUGPU等领域。

综合整理自贝果财经、IT之家

审核编辑:汤梓红

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