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台积电计划2025年投产2nm芯片

台积电在北美技术论坛上公布未来先进制程路线图,推出首次采用GAAFET全环绕栅极晶体管技术的下一代先进工艺制程2nm芯片,预计将于2025年量产,而台积电3nm芯片将于2022年内量产。

台积电3nm技术节点与5nm芯片相比,功耗降低34%,性能提升18%,逻辑晶体管密度提高1.6倍。2nm技术节点与3nm芯片相比,性能速度提升10%-15%,功耗降低25%-30%,采用纳米片晶体管架构。

台积电除了在2025年量产2nm芯片外,还将在2024引入ASML最新一代LHigh-NA EUV光刻机,2025年就会开始用来制造2nm工艺芯片。

综合整理自钛媒体AppTech情报局

审核编辑:汤梓红

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